PVD：

　　用物理方法(如蒸發、濺射等)，使鍍膜材料汽化在基體表面，沉積成覆蓋層的方法。

　　CVD：

　　用化學方法使氣體在基體材料表面發生化學反應并形成覆蓋層的方法。

　　區別：

　　化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。它本質上屬于原子范疇的氣態傳質過程。

　　與之相對的是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱CVD)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。