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真空濺射離子鍍膜(PVD)服務商

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PVD真空鍍膜機原理和各部件分析

時間:2024-04-19    點擊數:

PVD真空鍍膜的技術中有一個磁控濺射法。在實際PVD工藝中有很大的應用。

透明導電氧化物薄膜(TCO薄膜)有著廣泛的用途,如作為LCD、OLED顯示器面板的電極,作為觸摸屏的感應電極,作為薄膜太陽能電池的電極以及作為LED芯片前電極等。

目前,主要的TCO薄膜有氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅鋁(AZO)三種[2],其中SnO2薄膜是最早應用的TCO薄膜,但由于其光電特性相對較差,目前主要應用在一些較低端的使用領域。ITO薄膜是目前光電特性最好,使用范圍最廣的TCO薄膜,但其同時存在使用稀有元素In,生產成本較高、In元素有毒、在氫等離子工藝氛圍中性能退化等缺點。近年來,成本低、性能優良、無毒害的ZnO:Al(AZO)薄膜[3]得到了廣泛的關注與研究,有希望替代ITO薄膜。

因此,ITO與AZO材料是當前研究和生產的最主要的TCO材料。

目前,產業界制備ITO、AZO薄膜主要是采用磁控濺射鍍膜技術[4][5]。磁控濺射技術基于等離子技術,通常是在存在高電勢差的靶(陰極)與陽極之間注入氣體(一般為Ar氣),通過等離子輝光放電實現對氣體原子的離化,電場與磁場對離子加速和變向,進而轟擊靶材表面,導致靶材原子被轟擊到空間中,濺射在一塊襯底材料上聚集形成薄膜[6]。

對于磁控濺射裝置,磁控濺射電源決定了磁控濺射工藝過程等離子體狀態,對鍍膜工藝和膜層生長質量起著至關重要的作用[7]。隨著生產和科技不斷發展,用戶對產品質量性能的要求越來越高。所以要求磁控濺射鍍膜設備具有良好的可靠性、穩定性,有較高的鍍膜效率和鍍膜質量。

本文將主要描述磁控濺射ITO、AZO兩大主要TCO薄膜的核心電源技術的發展現狀、最新進展以及未來面臨的挑戰。

2、磁控濺射直流電源

磁控濺射電源類型有直流電源、中頻電源和射頻電源。其中中頻電源與射頻電源成本較高,且沉積速率偏慢,尤其是射頻電源沉積速率慢且由于駐波效應等,不適宜進行大面積鍍膜,因此在制備大面積TCO薄膜技術領域應用較少。

TCO薄膜制備以直流磁控濺射技術為主。直流磁控電源簡單可靠、工作穩定、功率大、沉積速率快。直流電源主要有恒流、恒壓、恒功率等控制模式 以恒流磁控濺射直流電源系統為例,其基本原理如圖1所示。電路由主電路部分和控制部分組成。電網輸入單相交流電,通過工頻整流,電感電容整流后為直流電。功率電子器件在控制電路的控制下將直流轉換為脈沖交流電。經高頻變壓器,將交流脈沖升壓。然后通過二極管整流和電感濾波輸出直流。控制部分由PWM控制、IGBT驅動、恒流控制、過流保護等部分組成。

普通直流電源雖然已在在磁控濺射TCO薄膜生產中大量應用,但仍然存在很多缺點:

(1)TCO鍍膜過程容易生成不導電物質,隨著濺射過程中帶電離子在不導電物質上的沉積,會形成弧光放電斑點[8]。尤其是AZO鍍膜過程,弧光放電斑點時時刻刻大量存在,容易導致薄膜出現斑點、孔洞、變性等各種缺陷,導致膜層質量不高,生產良率低。

(2)由于電弧出現的頻率與磁控濺射功率成正比,因此,限制了磁控濺射功率進一步的增大,即限制了鍍膜生產速率進一步的提高。

(3)磁控濺射過程等離子密度低。被濺射物質的離化程度極低,導致晶格缺陷、高殘余應力以及薄膜與襯底表面結合差[9]。

(4)由于被濺射物質離化程度低,被濺射物質只能直線運動,覆蓋區域淺,無法對復雜構造物體表面全面鍍膜,這一點遠差于多弧離子鍍技術,制約了磁控濺射技術的應用空間[10]。

2.2磁控濺射脈沖電源

磁控濺射脈沖電源的一個不可比擬的優點,是可以抑制濺射靶面的弧光放電。通過一定的頻率輸出脈沖電流,使鍍膜過程絕緣層上積累的正電荷,在形成弧光放電條件之前被中和掉。

脈沖濺射技術實現的關鍵在于大功率脈沖電源[11]。為了在正半周內完全中和負半周中靶面絕緣層表面積累正電荷,脈沖電壓必須具有一定的波形參數。Schiller等通過計算指出,脈沖電壓的頻率應為數10kHz[12]。進一步的大量實驗研究表明,脈沖磁控濺射電源的脈沖頻率設計在中頻10kHz-200kHz時,可以有效防止靶材電弧放電及穩定反應濺射沉積工藝,實現高速沉積、高質量反應薄膜。

如圖2所示,為一種脈沖電源系統的基本結構。主要包括三相整流及控制電路,逆變及控制電路,保護電路等。三相電源經整流電路整流后,變成脈動的直流電,然后由R、C網絡濾波后送至全橋逆變器,在控制電路的控制下與LCC串聯、并聯電路諧振,輸出變壓器與并聯電容相并聯,并隔離驅動負載。

雖然磁控濺射脈沖電源具備了滅弧的功能,能有效提升磁控濺射制備TCO薄膜的工藝質量,但其仍存在一些缺點:

(1)價格昂貴。穩定可靠的大功率脈沖電源造價昂貴,為普通直流電源一倍以上。

(2)維護成本高。

(3)無法解決傳統磁控濺射過程等離子密度低,成膜質量一般,不具備復雜結構表面鍍膜功能的問題。

針對這些問題,在最新的磁控濺射電源技術進展中逐步提出了解決方案。

3、 磁控濺射TCO電源最新技術

針對在TCO薄膜直流磁控濺射過程中(尤其是AZO鍍膜)存在大量弧光放電現象的問題,為降低電源成本,一個新的重要發展方向是采用帶快速滅弧功能的直流電源。

這種電源的最關鍵技術是3點:① 當弧光放電發生時能在早期迅速檢測到做出合理判斷。② 在識別出弧光放電情況后能迅速切斷電源而滅掉電弧;③ 在切斷電源后,恢復磁控放電。


本文網址:http://www.lyfln.com/news/749.html

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